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          技術優勢

          Technical Advantages

          核心工藝Know-How

          • 團隊掌握功率半導體器件結構和工藝上的核心技術,來自于團隊多年積累下來的工藝研發的經驗
          • 經驗豐富的團隊能夠有效的與晶圓代工廠合作開發高效的功率半導體工藝平臺,為產品的性能優勢打下基礎
          • 我們團隊在工藝仿真上擁有豐富經驗,通過與器件仿真結合可以縮短芯片開發時間和降低設計風險

          高壓功率器件設計和仿真

           

          • 團隊擁有豐富的在功率半導體器件和模塊的設計經驗,可以縮短產品的設計周期,在短時間里將具有競爭力的產品推向市場
          • 我們團隊在器件模擬和仿真上擁有豐富經驗,可以通過器件仿真降低設計參數達不到指標的風險

          產品性能優勢

          • 我們的超結 (SJ) 高壓MOSFET、屏蔽柵溝槽型 (SGT) MOSFET、SiC MOSFET系列將專有的設計和工藝技術相結合來實現行業高效的性能
          • 我們已推出具有300V浪涌能力的OVP IC芯片;
          • 我們的TVS產品在漏電、電容和浪涌IPP等性能表現出色
          • 我們已研發高可靠性的1700V SiC MOSFET

          技術支持

          Technical Support

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